Category Archives: Электромонтаж

Задача технологии полупроводников

Задача технологии полупроводников

Таким образом, задача технологии полупроводников прежде всего сводится к созданию условий, устраняющих возникновение поликристаллов при росте. В связи с этим теории роста, связанные с важными для многих других вопросов задачами о возникновении центров кристаллизации,

Процесс выращивания совершенного монокристалла

Процесс выращивания совершенного монокристалла

Под последней следует понимать излишек свободной энергии над минимальной энергией системы при данной температуре. Для того чтобы начался процесс кристаллизации, система должна преодолеть потенциальный барьер, вероятно, связанный

Технологическая эффективность процесса

Технологическая эффективность процесса

Для непрерывного хода этого процесса вблизи поверхности роста должно постоянно поддерживаться некоторое переохлаждение (пересыщение). Это достигается разными путями, например прогрессирующим понижением температуры в системе,

Идеальные процессы термодинамики

Идеальные процессы термодинамики

С одной стороны, система стремится прийти к минимуму свободной энергии, с другой стороны, система стремится завершить процесс в возможно более короткий срок. Полное завершение процесса, отвечающее минимуму

Нарушения однородности при росте кристаллов с примесями

Нарушения однородности при росте кристаллов с примесями

Регулировка процесса роста, связанная с желанием получить определенную скорость, связана также с переходом от одного механизма роста к другому. Теория кристаллизации рассматривает несколько возможных механизмов

О примесях в обобщенном смысле

О примесях в обобщенном смысле

Благодаря этому при изложении соответстаующих проблем можно принять за основу один из частных случаев кристаллизации многокомпонентных систем. Случай кристалла с примесями один из наиболее часто встречающихся. Поэтому он удобен для этих целей

Неоднородности, возникающие при кристаллизации бинарных систем

Неоднородности, возникающие при кристаллизации бинарных систем

Таким образом, без большого ограничения можно пренебречь взаимодействием примесей в материале и основные рассмотрения провести на основе двойных систем основной материал (полупроводник) — примесь. Рассматривая неоднородности, возникающие при кристаллизации бинарных систем,