Category Archives: Теория электричества

Переход к повышенным концентрациям примеси

Переход к повышенным концентрациям примеси

Учет этой зависимости прост и им можно дополнить любое из описанных уже приближений. Переход к повышенным концентрациям примеси сталкивает нас со значительно более сложной задачей, а именно с задачей об учете концентрационной зависимости

Выбор скоростей кристаллизации

Выбор скоростей кристаллизации

При этом найденные концентрационные кривые мало отличаются от кривых, рассчитанных в пфанновском приближении. Выбор скоростей кристаллизации. Критические скорости кристаллизации Процесс роста кристалла характеризуется определенной скоростью. Ее можно выразить или через количество

Критические скорости кристаллизации

Критические скорости кристаллизации

С учетом поправки на эффективность коэффициента распределения можно говорить, что характер концентрационных профилей в ростовых процессах остается неизменным, если только соблюдается. Практически все реализуемые в технологии скорости роста удовлетворяют

Полупроводниковые кристаллы

Полупроводниковые кристаллы

Это может быть особенно существенным в процессах очистки. Значения по данным работы, для примесей в германии имеют порядок около нескольких долей мм/с, т.е. близких к реально применяемым для роста этого материала скоростям.

Необходимость повышения производительности

Необходимость повышения производительности

Их изучение обычно сводится к формулировке требования о том, что допустимая скорость роста не должна превышать некоторого предела. В то же время необходимость повышения производительности требует работы с наибольшими скоростями в допустимом

Концентрационное переохлаждение расплава

Концентрационное переохлаждение расплава

Это обстоятельство учтем введением верхнего индекса, который будет означать соответствующий механизм. В идеальном случае, определяющим для практической работы должно быть то значение, которое является наименьшим. Однако нередко встречаются ситуации, когда наличием какого-то типа неоднородностей

Строгий анализ проблемы

Строгий анализ проблемы

Последнее приводит к появлению в кристалле нежелательных несовершенств. Строгий анализ проблемы требует совместного рассмотрения как явлений диффузии, так и явлений теплопереноса. Судя по всему, впервые подобный