Category Archives: Термодинамика

Физическая сущность процесса

Физическая сущность процесса

Неравенство составов кристалла и материнской фазы приводит к тому, что вблизи поверхности роста в расплав оттесняются избыточные количества примеси с О<1. Наоборот, если О>1, то вблизи поверхности роста ощущается

Обобщение результатов на остальные возможные случаи

Обобщение результатов на остальные возможные случаи

В стационарном режиме это означает, что вся оттесняемая на фронте кристаллизации в единицу времени примесь должна успевать отводиться в глубинные слои расплава. Для удобства изложения здесь речь идет только о примеси с О< 1 и росте из расплава Обобщение результатов на остальные возможные случаи труда не представляет. Во всех случаях, когда мы говорим о примеси, коэффициент распределения основного компонента полагается равным 1. В этом случае, как показывают и теория, и практика, отличия между равновесными и эффективными его значениями отсутствуют. В этом случае, как показывают и теория, и практика, отличия между равновесными и эффективными его значениями отсутствуют. По существу сказанное означает, что кристаллизация основы (матрицы) идет практически независимо от наличия в ней малых концентраций примеси. Это представление достаточно хорошо подтверждается опытом практической работы. Как следствие наличия «б-слоя» в расплаве перед фронтом роста образуется так называемая «диффузионная волна» или «диффузионный всплеск» примеси. В ряде случаев желательно определить величину б непосредственно. Для этого надо знать реальные условия перемешивания расплава. Уточнение условий перемешивания возможно лишь при наличии его механического источника. Принято считать, что эти допущения достаточно хорошо соблюдаются при выращивании полупроводниковых кристаллов.

Исследование методов управления крупномасштабным распределением состава

Исследование методов управления крупномасштабным распределением состава

Можно ожидать, что величина В, так же как и величина ко, зависит и от концентрации примеси. Отличие условий перемешивания расплава от тех, которые были предположены при выводе обсуждаемых формул, проявляется в том, что состав расплава в сечении перед межфазной поверхностью

Учет взаимодействия с глубинными слоями кристалла

Учет взаимодействия с глубинными слоями кристалла

Трудность проблемы связана с тем, что поверхность раздела представляет собой сложное физическое образование, во многом определяемое механизмом роста. Тем не менее существует возможность описания процессов при введении некоторых усредненных параметров, которые должны быть

Рыхлость приповерхностного слоя

Рыхлость приповерхностного слоя

Приповерхностный слой с концентрацией, отвечающей kg, имеет толщину в несколько атомных плоскостей. По мере роста кристалла эти плоскости уходят внутрь твердой фазы. При этом концентрация в них уже не будет являться равновесной. Вследствие этого начинается процесс диффузионной релаксации

Зависимость эффективных коэффициентов распределения

Зависимость эффективных коэффициентов распределения

Действительно, если примесный компонент становится основным, то введение kg>ko может подчас привести к значениям Ст, превышающим разумные значения. Формула, однако, отражает ряд очень важных моментов, которые кинетическое соотношение учесть

Теория коэффициента распределения

Теория коэффициента распределения

Плоскости в этих соединениях в зарядовом смысле, а значит, и в смысле адсорбции не эквивалентны. Более того, в ряде случаев при росте в одинаковых условиях (например, при росте двойников) эффективный