Идеальные процессы термодинамики

Идеальные процессы термодинамики

С одной стороны, система стремится прийти к минимуму свободной энергии, с другой стороны, система стремится завершить процесс в возможно более короткий срок. Полное завершение процесса, отвечающее минимуму свободной энергии, отвечает минимально возможной межфазной поверхности. Эта поверхность характеризуется энергией, равной произведению коэффициента поверхностного натяжения на площадь границы раздела. Такой процесс возможен лишь в условиях практически полного равновесия. Это означает, что, как и все идеальные процессы термодинамики, он идет с бесконечно малой скоростью.

Это означает, что, как и все идеальные процессы термодинамики, он идет с бесконечно малой скоростью. Наибольшей же быстроты образования кристалл достигает при бесконечно развитой поверхности, которая берет на себя избыток свободной энергии, остающейся в этом случае в системе из-за незавершенности перехода. Поэтому заметное увеличение скорости роста приводит к образованию в системе дополнительных поверхностей раздела, остающихся в виде искривленных и протяженных межзеренных границ.

Такой рост связан с захватом материнской фазы кристаллом и возникновением других, в общем случае нежелательных, несовершенств. Это противоречие, свойственное росту кристалла как физическому процессу, приводит к противоречию техническому: повышение производительности метода связано с ухудшением качества изготовляемого материала.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: