Нарушения однородности при росте кристаллов с примесями

Нарушения однородности при росте кристаллов с примесями

Регулировка процесса роста, связанная с желанием получить определенную скорость, связана также с переходом от одного механизма роста к другому. Теория кристаллизации рассматривает несколько возможных механизмов роста: нормальный рост, рост посредством двумерных зародышей, рост на дислокациях. При этом, вероятно, правильно считать, что каждый из механизмов обеспечивает свой интервал скоростей роста. В то же время вряд ли можно заранее точно теоретически установить границы, отвечающие переходу от одного механизма к другому.

Тем не менее рост на дислокациях обеспечивает, вероятно, самый быстрый процесс роста. Тем не менее рост на дислокациях обеспечивает, вероятно, самый быстрый процесс роста. Однако дислокации являются дефектом кристалла, поэтому увеличение скорости роста связано с увеличением в кристалле различного рода структурных дефектов.

Нарушения однородности при росте кристаллов с примесями. Кристалл, легируемый примесями, является примером многокомпонентной системы. С кристаллизацией многокомпонентных систем мы сталкиваемся на практике не только при легировании кристаллов, но и при изготовлении слитков концентрированных растворов, выращивании кристаллов из растворов и т. п Неоднородности в распределении компонентов, возникающие во всех этих случаях, весьма похожи.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

One Response to Нарушения однородности при росте кристаллов с примесями

  1. Алянур Носков пишет:

    Извини конечно канешна, но диз не ахти

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: