Процесс выращивания совершенного монокристалла

Процесс выращивания совершенного монокристалла

Под последней следует понимать излишек свободной энергии над минимальной энергией системы при данной температуре. Для того чтобы начался процесс кристаллизации, система должна преодолеть потенциальный барьер, вероятно, связанный с работой образования поверхности раздела, без которой возникновение центров новой фазы невозможно. Применение затравки позволяет работать в области малых переохлаждений, где вероятность образования центров еще невелика. Однако около затравки существует некоторый градиент температуры, приводящий к тому, что вблизи от нее переохлаждение больше, чем в остальной массе расплава.

Возникающая при этом на практике ситуация одновременно и проста, и сложна. Возникающая при этом на практике ситуация одновременно и проста, и сложна. Простота ее заключается в относительной несложности рецепта практической работы, который связан с эмпирическим подбором условий вблизи затравки.

Качественная характеристика этих условий ясна из сказанного выше. Однако именно эта качественность выводов является одновременно и сложностью ситуации, так как в случае неудач эмпирического подбора режима теория практических рецептов дать не может. Поэтому до известной степени процесс выращивания совершенного монокристалла является искусством, основанным на накоплении практических рецептов и наблюдений.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

One Response to Процесс выращивания совершенного монокристалла

  1. Макар Жданов пишет:

    Давно искал такой ответ

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: