Процессы при росте объемных кристаллов

Процессы при росте объемных кристаллов

Реальные процессы при росте объемных кристаллов обычно отвечают случаю перемещения локализованного температурного градиента. Таким образом условие полного перемешивания представляется важным шагом на пути их математического описания. Поэтому условие полного перемешивания расплава принимается в качестве одного из исходных пунктов различных приближений, описывающих перераспределение состава в процессах кристаллизации полупроводников. Приближения, основанные на этом допущении, мы будем называть приближениями полного перемешивания.

Опыт показывает, что в большинстве используемых при работе с полупроводниковыми материалами процессов эти приближения достаточно хорошо отвечают реальной ситуации. Опыт показывает, что в большинстве используемых при работе с полупроводниковыми материалами процессов эти приближения достаточно хорошо отвечают реальной ситуации. Тем не менее, полезно сделать ряд уточнений, связанных с вопросом о применимости этого приближения.

Это означает, что с ростом абсолютных размеров системы теории, составленные в приближениях полного перемешивания, будут соблюдаться для все меньших и меньших скоростей роста. При кристаллизации полупроводников абсолютные количества перекристаллизуемого материала, а значит и размеры систем достаточно малы для того, чтобы можно было не сомневаться в выполнении неравенства.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: