Коллектор запертого транзистора

Коллектор запертого транзистора

Очевидно, что если пренебречь малыми паразитными межэлектродными емкостями и явлениями рассасывания носителей тока в области базы насыщенного транзистора, то можно считать, что опрокидывание триггера происходит мгновенно и новое состояние устойчиво впредь до подачи внешнего опрокидывающего воздействия. Таким воздействием может быть отрицательный импульс, подаваемый на коллектор запертого транзистора (рассматривается схема на n—р—n-транзисторах), или положительный импульс значительно меньшей амплитуды, приложенный к базе того же транзистора. Важно отметить, что в отличие от схем, содержащих реактивные связи (например, конденсаторные в мультивибраторе), в триггере скачок напряжения, передаваемого связью, никогда не меняет знака и существенно уменьшается по амплитуде из-за наличия делителя R1, R2. Поэтому глубина ПОС здесь ниже и условия самовозбуждения (в течение лавинообразного процесса опрокидывания) выполняются несколько труднее. Если один из выходов триггера (<3Х) считать основным, то на втором выходе (Q2) будет наблюдаться инверсный сигнал, так что когда на Qj имеется низкий потенциал паузы, на Q2 наблюдается высокий потенциал (вершина импульса), и наоборот. Если один из выходов триггера (<3Х) считать основным, то на втором выходе (Q2) будет наблюдаться инверсный сигнал, так что когда на Qj имеется низкий потенциал паузы, на Q2 наблюдается высокий потенциал (вершина импульса), и наоборот.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: