Очистка при нормальном охлаждении

Очистка при нормальном охлаждении

Аналогично предыдущему можно ввести понятие теоретических и адаптированных значений производительности. В дальнейшем речь будет идти только о теоретических ее значениях. Эти времена желательно уменьшить Это достигается как организацией процесса, так и применением специальной технологической оснастки, например шлюзовых камер, позволяющих извлекать выращенный кристалл и вводить в расплав новые порции исходного материала без выключения печей. Обычно они мало зависят от общей массы участвующего в процессе материала.

Наоборот, можно в первом приближении считать, что (р в одном цикле пропорционально объему участвующего в процессе материала. Наоборот, можно в первом приближении считать, что (р в одном цикле пропорционально объему участвующего в процессе материала. Распределение концентрации примеси в кристалле при нормальном охлаждении описывается в случае пфанновского приближения формулой.

Для более подробного анализа обратимся к рис. 50, где эти же кривые приведены в схематизированном виде. Представления об абсолютном загрязнении и очистке связаны с ограничениями применимости пфанновского приближения в конце образца. На принципиальные результаты это не влияет. В точке g=gc уровень концентраций в материале совпадает со средней исходной концентрацией в материале.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: