Получение запирающего напряжения между эмиттерами и базами транзисторов

Получение запирающего напряжения между эмиттерами и базами транзисторов

На этой схеме показано также схемное усовершенствование, позволяющее исключить дополнительный источник смещения Есм путем получения запирающего напряжения между эмиттерами и базами транзисторов за счет падения напряжения (1 . 2 В) на общем эмиттерном резисторе Работа диодного переключателя в устройстве коллекторного счетного запуска обеспечивается изменениями напряжений, действующих на диоды. Пусть в исходном положении транзистор VI открыт. Тогда коллекторное напряжение (выход Qx) складывается из прямого падения напряжения между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора (ориентировочно 0,5 В) и падения напряжения на RB из-за тока эмиттера транзистора напряжение будет действовать на анод диода V4. С другой стороны, через резистор R на катод диода V4 действует полное напряжение + Е, в силу чего данный диод разностью этих напряжений надежно закрыт.

С другой стороны, через резистор R на катод диода V4 действует полное напряжение + Е, в силу чего данный диод разностью этих напряжений надежно закрыт. Диод же V3, имея тот же потенциал катода, будет иметь на аноде высокий потенциал выхода Q. 2, практически равный Е, так как транзистор VI закрыт.

В результате разность потенциалов на диоде V3 будет близка к нулю и он готов открыться при самом незначительном снижении потенциала общей точки а диодов под действием внешнего спускового сигнала.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: