Рассасывание неосновных носителей зарядов

Рассасывание неосновных носителей зарядов

Его действие заключается в том, что совместно с паразитной емкостью монтажа и собственно транзи107с то ра Сп он образует компенсирующее плечо емкостного делителя, действующего параллельно делителю R1, R2 так, что исключается искажение, затягивание фронта передаваемого скачка, которое наблюдалось ранее из-за интегрирующего действия цепочки R1, С. Более того, избыточно большое значение Суск, увеличивая фронтальный скачок, дополнительно ускоряет рассасывание неосновных носителей зарядов в базе насыщенного транзистора, убыстряя его переход в запертое состояние. Вторым средством ускорить опрокидывание триггера является устранение насыщения транзисторов. Для этого в цепи связи вводят пару диодов так, чтобы напряжение на базе открытого транзистора не могло превысить напряжение на коллекторе того же транзистора В результате коллекторный переход остается закрытым и дополнительной инжекции неосновных носителей в область базы не происходит. В результате коллекторный переход остается закрытым и дополнительной инжекции неосновных носителей в область базы не происходит.

Достигается это применением диодов V3, V5 и V4, V6 с разным уровнем прямого падения напряжения. На открытом кремниевом диоде V4, передающем отпирающий сигнал на базу транзистора VI, падает напряжение 0,7 В, а па вспомогательном германиевом диоде V3, отводящем к коллектору излишек тока, насыщающего базу, падает только 0,3 В.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: