Транзисторы с разной структурой

Транзисторы с разной структурой

Следует иметь в виду, что при этом возрастает нижний, ждущий уровень выходного сигнала, измеряемого на выходе Q, по отношению к «земле». Если вариации температурных условий работы схемы невелики и применяются кремниевые транзисторы, для которых отпирание начинается при довольно больших значениях напряжения 11бэ ж 0,6 В, то во многих случаях удается построить моновибраторы и без запирающего смещения, особенно если последовательно с резистором RJ, включенным в базовую цепь нормально закрытого транзистора V2, можно поставить вспомогательный стабистор V5. Одновременно при этом улучшается температурная стабильность длительности генерируемых импульсов. При необходимости создания моновибраторов со сравнительно большими значениями длительностей генерируемых импульсов пользуются теми же методами, что и при создании аналогичных мультивибраторов.

Управление параметрами генерируемого импульса производится так же, как было показано для мультивибраторов. Управление параметрами генерируемого импульса производится так же, как было показано для мультивибраторов.

В некоторых схемах автоматики важное значение имеет малое потребление мощности питания в ждущем режиме. Используя транзисторы с разной структурой (n—р—n и р—n—р), можно создать моновибратор, у которого в ждущем режиме оба транзистора закрыты.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: