Математическая сторона задачи

Математическая сторона задачи

Математическая сторона описываемой задачи достаточно сложна, а получаемые результаты трудно обозримы и зависят от реальной геометрии растущего кристалла. В пределе же получаемые формулы сводятся к выражению типа, которое остается основным для практического подбора технологических режимов. Формула дает условие, обеспечивающее рост кристалла при устойчивой поверхности раздела фаз. Физический смысл этого выражения состоит в том, что реальным ходом температуры вблизи фронта роста можно пренебречь, если изменение концентрации вблизи него существенно меньше того ее изменения, которое может быть осуществлено диффузионным выравниванием. Это же можно определить как случай, когда поток диффундирующих атомов вызывает меньшие изменения температур начала кристаллизации, чем изменение, вызванное внешним температурным полем.

Это же можно определить как случай, когда поток диффундирующих атомов вызывает меньшие изменения температур начала кристаллизации, чем изменение, вызванное внешним температурным полем. Такое заключение совпадает с той основной гипотезой, которая используется при выводе по Чалмерсу Использование рассмотрений, основанных на использовании укороченных функций темпа, оказывается полезным и при изучении процессов роста, которые в отличие от описанных в начале этого параграфа можно в первом приближении рассматривать, как изотермические.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: