Полупроводниковые кристаллы

Полупроводниковые кристаллы

Это может быть особенно существенным в процессах очистки. Значения по данным работы, для примесей в германии имеют порядок около нескольких долей мм/с, т.е. близких к реально применяемым для роста этого материала скоростям. В принципе при построении процесса очистки встает вопрос о том, какая из схем является экономически более оправданной — схема с большей скоростью, когда выход материала в единицу условного времени больше, но степень его очистки меньше или схема с более низкой скоростью, дающая меньший выход при большей степени очистки. Однако ограничения допустимых скоростей роста при промышленном производстве кристаллов определяются в основном из других соображений.

Эти ограничения возникают из-за появления в кристалле различного рода дефектов и несовершенств. Эти ограничения возникают из-за появления в кристалле различного рода дефектов и несовершенств. Наиболее очевидным из них является требование обеспечения монокристалличности образца.

Это не очень строго формулируемое условие контролируется обычно визуальным осмотром образца после соответствующего травления. Не вдаваясь в подробности, можно отметить, что по крайней мере для основных используемых на практике полупроводниковых кристаллов это требование определяет верхний предел допустимых, скоростей роста в несколько миллиметров в минуту 102 м/с.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

One Response to Полупроводниковые кристаллы

  1. Олаф Русаков пишет:

    В этом что-то есть и идея отличная, согласен с Вами.

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: